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QS5U27
Transistor
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS5U27
Structure
Silicon P-channel MOS FET
Schottky Barrier DIODE
External dimensions (Unit : mm)
TSMT5
1.0MAX
2.9
1.9
0.95 0.95
0.85
0.7
Features
1) The QS5U27 combines Pch MOS FET with a
(5)
(4)
0~0.1
Schottky barrier diode in a TSMT5 package.
2) Low on-state resistance with fast switching.
(1)
(2)
(3)
0.4
0.16
3) Low voltage drive (2.5V).
4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage.
Applications
load switch, DC/DC conversion
Packaging specifications
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : U27
Equivalent circuit
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(5)
? 2
(4)
QS5U27
? 1
(1)Gate
(2)Source
(1)
? 1 ESD protection diode
? 2 Body diode
(2)
(3)
(3)Anode
(4)Cathode
(5)Drain
? A protection diode has been buitt in between the gate and
the source to protect against static electricity when the product
is in use. Use the protection circuit when rated voltages are exceeded.
Rev.A
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